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IBM原子技術大突破:全新的存儲芯片

藍色巨人又來了!IBM今天宣布在原子級別的材料科學上取得重大突破,據此可造出全新非易失性存儲和邏輯芯片,功耗也會比現在的硅芯片大大降低。這一成果已于昨天發表在了《科學》雜志上。摩爾定律下的挑戰摩爾定律

藍色巨人又來了!IBM今天宣布在原子級別的材料科學上取得重大突破,據此可造出全新非易失性存儲和邏輯芯片,功耗也會比現在的硅芯片大大降低。這一成果已于昨天發表在了《科學》雜志上。

摩爾定律下的挑戰

摩爾定律下的半導體材料和技術發展正在加速接近硅的物理和性能極限,迫切需要全新的方案來繼續提升性能、降低功耗。

氧化物-液體界面的關鍵發現

IBM的科學家發現,在氧化物-液體界面插入、移除電場驅動的氧離子,可以讓金屬氧化物在絕緣體、導體兩種狀態之間進行可逆轉換。這種非易失性的屬性意味著,基于這種現象的芯片可以更高效地存儲、傳輸數據,而且是事件驅動的,不需要用持續的電流維持設備狀態。

離子液體的應用

IBM在其中使用了帶正電的離子液體電解質作為絕緣氧化物材料,也就是二氧化釩(VO2),成功將其變成了金屬導體,并且一直維持著這種狀態,直到用了帶負電的離子液體電解質,它才回到原始的絕緣狀態。

新的控制方式與應用前景

在原子級別尺度上的理解力和控制力讓我們可以開發出新的材料和設備,運行原理和如今的硅材料技術完全不同。現在的設備都要充電,而未來的只需要微弱的離子電流就能實現物質狀態的可逆控制,據此可以打造出全新的移動設備。在三維架構上應用這種創新概念可以避免IT行業遭遇技術瓶頸。

以上是對原文內容的理解并添加了補充內容后重新編寫的文章,希望對您有所幫助。

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