一、slc、mlc、tlc三代閃存介紹 1. slc芯片詳細(xì)介紹"slc"全稱"single-level cell"，即單層式儲(chǔ)存，主要由三星、海力士、美光、東芝等廠商采用。slc技術(shù)在寫入數(shù)據(jù)時(shí)通

一、slc、mlc、tlc三代閃存介紹

1. slc芯片詳細(xì)介紹

"slc"全稱"single-level cell"，即單層式儲(chǔ)存，主要由三星、海力士、美光、東芝等廠商采用。slc技術(shù)在寫入數(shù)據(jù)時(shí)通過(guò)對(duì)浮置閘極的電荷加電壓，透過(guò)源極將所儲(chǔ)存的電荷消除，實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)存1個(gè)信息單元。slc特點(diǎn)是運(yùn)轉(zhuǎn)速度快、使用壽命長(zhǎng)，但價(jià)格較高，約為mlc的三倍以上，具有約十萬(wàn)次寫入（擦寫）壽命。

2. mlc芯片詳細(xì)介紹

"mlc"全稱"multi-level cell"，即多層式儲(chǔ)存，主要由東芝、renesas、三星等廠商采用。mlc通過(guò)將兩個(gè)單位的信息存入一個(gè)floating gate，并利用不同電位的電荷進(jìn)行精準(zhǔn)讀寫。相比slc，mlc可以一次儲(chǔ)存4個(gè)以上的值，實(shí)現(xiàn)較好的儲(chǔ)存密度，其使用壽命約為3000到10000次的寫入（擦寫）壽命。

3. tlc芯片詳細(xì)介紹

"tlc"全稱"triple-level cell"，又稱"3bit/cell"，有些廠商稱之為"8lc"。tlc芯片雖然成本較低且容量較大，但運(yùn)轉(zhuǎn)速度最慢、使用壽命最短，價(jià)格也最便宜，僅約500次的寫入（擦寫）壽命。目前尚無(wú)廠家能夠做到1000次寫入（擦寫）壽命。

二、slc、mlc和tlc閃存壽命差異比較

1. slc閃存每個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)1個(gè)bit的信息，約具有10萬(wàn)次擦寫壽命。

2. mlc閃存每個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)2個(gè)bit的信息，具有約一萬(wàn)次擦寫壽命，是slc容量的兩倍但壽命縮短為1/10。

3. tlc閃存每個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)3個(gè)bit的信息，具有約500-1000次擦寫壽命，是mlc容量的一半但壽命縮短為1/20。

三、slc和mlc閃存的優(yōu)劣比較及應(yīng)用場(chǎng)景

1. 優(yōu)勢(shì)比較

slc具有較快的運(yùn)轉(zhuǎn)速度和長(zhǎng)壽命，但價(jià)格昂貴；mlc則具有較高的儲(chǔ)存密度和相對(duì)較低的生產(chǎn)成本，可滿足大容量需求。經(jīng)改進(jìn)后，mlc的讀寫性能有望進(jìn)一步提升。

2. 缺點(diǎn)比較

mlc相較于slc壽命較短，僅能承受1萬(wàn)次擦寫，存取速度較慢且電流消耗較高。然而，在單顆芯片容量方面，mlc仍占據(jù)優(yōu)勢(shì)，適合滿足大容量市場(chǎng)需求。

綜上所述，選擇u盤時(shí)應(yīng)根據(jù)需求平衡價(jià)格、性能和壽命的考量，合理選擇slc或mlc閃存，以獲得更符合需求的產(chǎn)品。