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汽車常用專業(yè)術(shù)語有哪些？

專業(yè)術(shù)語有很多，幾百上千個(gè)時(shí)總有的，從內(nèi)容淺顯人人皆知的詞匯比如：發(fā)動(dòng)機(jī)排量、渦輪增壓、前置四驅(qū)、純電動(dòng)汽車、鹵素大燈、空濾、機(jī)濾等；到能說的請(qǐng)來龍去脈的人大多的初級(jí)專業(yè)詞匯，比如：霍夫邁斯特曲線、雙頂置凸輪軸、雙叉臂獨(dú)立懸架等等。

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ddr3和ddr2怎么區(qū)分？

一、DDR2與DDR3內(nèi)存的特性區(qū)別：

1、邏輯Bank數(shù)量

DDR2SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì)，目的是是為防范未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步后，并且起始的邏輯Bank那就是6個(gè)，至于還為未來的16個(gè)邏輯Bank做到了準(zhǔn)備。

2、裸芯片(Packages)

而DDR32020年規(guī)劃了一些功能，在引腳方面會(huì)所增加，8bit芯片按結(jié)構(gòu)78球FBGA整體封裝，16bit芯片區(qū)分96球FBGA整體封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝方法三種規(guī)格。并且DDR3可以是藍(lán)色封裝，不能不能含有什么任何有害物質(zhì)。

3、突然昏倒長度(BL，Burst Length)

由于DDR3的預(yù)取為8bit，因?yàn)橥蝗粣夯瘋鬏斨芷?BL，Burst Length)也固定不動(dòng)為8，而對(duì)此DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL4確實(shí)是具體方法的，DDR3甚至于增強(qiáng)了一個(gè)4-bit Burst Chop(突遇基因變化)模式，即由一個(gè)BL4的讀取文件操作算上一個(gè)BL4的寫入文件操作來怎么合一個(gè)BL8的數(shù)據(jù)突遇傳輸，日后可實(shí)際A12地址線來完全控制這一突然發(fā)作模式。

4、尋址時(shí)序(Timing)

得象DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)提高一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2所提高。DDR2的CL范圍就像在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且額外服務(wù)器延遲(AL)的設(shè)計(jì)也有不變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0至4，而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng)，三個(gè)是0、CL-1和CL-2。同時(shí)，DDR3還新減少了一個(gè)時(shí)序參數(shù)ampmdash—中寫入網(wǎng)絡(luò)延遲(CWD)，這一參數(shù)將依據(jù)什么具體的工作頻率而定。

二、與DDR2相比較DDR3本身的優(yōu)點(diǎn)(桌上型unbufferedDIMM)：

1.速度更快：prefetchbuffer寬度從4bit實(shí)力提升到8bit，核心同頻率下數(shù)據(jù)傳輸量城就會(huì)是DDR2的兩倍。

2.更省電：DDR3 Module電壓從DDR2的1.8V減少到1.5V，同頻率下比DDR2更省電，最好搭配SRT(Self-Refresh Temperature)功能，內(nèi)部減少溫度senser，前例溫度動(dòng)態(tài)完全控制更新完率(RASR，Partial Array Self-Refresh功能)，提升到省電目的。

3.容量更大：更多的Bank數(shù)量，依據(jù)法律規(guī)定JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，DDR2應(yīng)可出到單位元元4Gb的容量(此即單條模塊可到8GB)，但目前許多DRAM廠商的規(guī)劃，DDR2生產(chǎn)很可能會(huì)進(jìn)不了這個(gè)4Gb單位元元容量，也就是說屆時(shí)單條DDR2的DRAM模塊，容量大的可能會(huì)只會(huì)到4GB。而DDR3模塊容量將從1GB單腳起跳，目前規(guī)劃規(guī)劃單條模塊到16GB也沒什么問題(注意一點(diǎn)：這里指的是零售組裝市場膠的unbufferedDIMM而言，server專用FB與Registered是在此限)。