gto伏安特性？伏安特性GTO晶閘管的陽極伏安特性與普通地晶閘管有幾分相似。加上電壓最多正向轉折電壓吮0時,GTo晶閘管正向導通,向這邊導通次數多了,都會影起GTo晶閘管的性能變差;但若外加電壓遠遠超

gto伏安特性？

伏安特性

GTO晶閘管的陽極伏安特性與普通地晶閘管有幾分相似。

加上電壓最多正向轉折電壓吮0時,GTo晶閘管正向導通,向這邊導通次數多了,都會影起GTo晶閘管的性能變差;但若外加電壓遠遠超過逆方向擊穿電壓，發生了什么雪崩燒斷,造成元件的永久性損毀。

對GTo晶閘管門極加方向向觸發時電流時,GTo晶閘管的正向轉折電壓隨門極方向向可以觸發電流的增大而減低。

c9017可控硅參數？

可控硅的主要技術參數

1．朝封鎖住峰值電壓（VPFU）

是指在壓制極后面跟隨及奔來封鎖住條件下，可以重復一遍加在器件上的奔來電壓的峰值。此電壓規定為奔來轉折電壓值的80％。

2．方向相反阻斷峰值電壓（VPRU）

它是指在壓制極斷路和航嘉冷靜王鉆石版結溫度下，可以不再重復一遍加在器件上的反向電壓的峰值。此電壓規定為極高逆方向測試電壓值的80％。

3．航嘉冷靜王鉆石版奔來換算下來電流（IF）

在環境溫度為40C時，器件導通（標準散熱條件）可后是從工頻（即指供電網物質供應的電源頻率．好象為50Hz或60Hz，我國規定為50Hz）余弦半波電流的平均值。

4．朝換算下來電壓應力（UF）

在明文規定的條件下，器件通以額定功率朝總平均電流時，在陽極與陰極之間電壓降的平均值。

5．維持電流（IH）

在再控制極斷開時，器件盡量導通狀態所所必需的的最大值向這邊電流。

6．控制極能觸發電流（Ig）

陽極與陰極之間加直流6V電壓時，使可控硅徹底導通所必須的最大值控制極直流電流。

7．壓制極不觸發電壓（Ug）

是指從阻斷改變為導通狀態時壓制極上所加的最大值直流電壓。

功率晶閘管的特性？

一、靜態特性

（1）算正常工作時的特性

1.當晶閘管承受方向相反電壓時，無論是門極是否需要有能觸發電流，晶閘管都不會導通。

2.當晶閘管承受住正向電壓時，僅在門極有觸發電流的情況下晶閘管才能開通。

3.晶閘管那樣一來導通，門極就失去控制作用，不管門極觸發時電流是否需要還存在，晶閘管都盡量導通。

4.若要使已導通的晶閘管關斷，只有利用再加電壓和外電路的作用使流淌過晶閘管的電流降到距離于零的某一數值以下。

（2）晶閘管的伏安特性

正向特性

1.當IG0時，如果沒有在器件連接導線受到方向向電壓，則晶閘管正處于向這邊封堵住狀態，只有很小的正向漏電流流淌過。

2.如果不是奔來電壓將近爵跡三極限即正向轉折電壓Ubo，則漏電流逐漸速度變大，器件申請開通。

3.隨著門極電流幅值的減小，向這邊轉折電壓減低，晶閘管本身的壓降很小，在1V左右。

4.要是門極電流為零，并且陽極電流降至將近于零的某一數值IH以下，則晶閘管又來到奔來封堵住狀態，IH稱做維持電流。

晶閘管的伏安特性IG2IG1IG

方向相反特性

1.其伏安特性類似二極管的運動方向特性。

2.晶閘管進入反向移動阻斷狀態時，只有一極小的逆方向漏電流實際。

3.當反向電壓超過一定限度，到方向相反擊穿電壓后，外電路如無限制措施，則運動方向漏電流急劇大小改變，導致晶閘管會發熱損壞。

晶閘管的伏安特性IG2IG1IG

二、動態特性

（1）不開通過程

1.因此晶閘管內部的正反饋過程必須時間，再而且外電路電感的限制，晶閘管給予不觸發后，其陽極電流的增長不可能是瞬間的。

2.延遲高時間td(0.5~1.5μs)猛升時間tr(0.5~3μs)不開通時間tgttdtr

3.服務器延遲時間隨門極電流的會增大而增大,向上升時間除反映晶閘管本身特性外，還被外電路電感的十分嚴重影響。能提高陽極電壓,延遲高時間和猛升時間都可特別顯著縮短。

晶閘管的開通和關斷過程波形

（2）關斷過程

1.因此外電路電感的存在，原進入導通狀態的晶閘管當附帶電壓突然之間由奔來時變反向時，其陽極電流在衰減時間時必然會也是有過渡過程的。

2.運動方向封堵住可以恢復時間trr朝阻斷恢復時間tgr關斷時間tqtrrtgr

3.關斷時間約幾百微秒。

4.在正向封鎖住恢復時間內如果不是恢復對晶閘管施加奔來電壓，晶閘管會恢復朝導通，而也不是受門極電流壓制而導通。