同理，箭頭從柵極指向另一個，低電平關，高電平關，就是低電平導通。說白了，箭頭反方向的電流就是導通是P溝道還是N溝道，取決于電路圖中箭頭指向哪里:如果箭頭指向柵極，就給柵極一個高電平，另外兩個極根據溝道

同理，箭頭從柵極指向另一個，低電平關，高電平關，就是低電平導通。說白了，箭頭反方向的電流就是導通是P溝道還是N溝道，取決于電路圖中箭頭指向哪里:如果箭頭指向柵極，就給柵極一個高電平，另外兩個極根據溝道的不同(P溝道的源極S接輸入，漏極D接輸出，N溝道相反)。

簡單來說，MOS管是可控半導體，二極管是不可控單向導通半導體。

MOS晶體管的原理在任何半導體物理書上都可以找到。我簡單解釋一下原理:以N溝道MOS為例。當柵極G的輸入電壓超過導通閾值時，ds的兩級之間開始導通，導通電流受柵極電壓控制，呈線性變化。當柵壓進一步上升，超過線性區時，我們稱之為完全導通或關斷，MOS晶體管的電流不再隨柵壓線性變化，而是受其導通電阻的限制。

二極管只有一個PN結，只能單向導通，起整流作用(交流電轉直流電)。

MOS可以實現整流(同步整流技術)和逆變(DC到交流)。

Irfp場效應晶體管是一種比較新的半導體材料，利用電場效應來控制晶體管的電流，因此而得名。它的外觀也是三極管，所以也叫場效應三極管。

它的工作原理是當UGS0為0時，在漏源之間施加一定的電壓，會有很多載流子在漏源之間漂移，產生漏電流。當UGSlt0時，PN結反向，形成耗盡層，漏源之間的溝道會變窄，ID減小，UGS繼續減小，溝道繼續變窄，ID繼續減小，直到0。當漏極電流為零時，對應的柵源電壓UGS稱為夾斷電壓UGS(off)。

N溝道結場效應晶體管的工作原理(1)UGS對導電溝道和D i的控制作用UGS為0時，導電溝道不受任何電場的影響，施加Uds時D i最大；當Ugs從零增加到負時，在GS u的反向偏置電壓下，耗盡層會變寬，導電溝道會變窄，溝道電阻增加。當應用Uds時，D i將會減少。當│ ugs │ ugs (off)時，兩邊的耗盡層在中間完全閉合，導電溝道被夾斷；柵極和源極之間對應的電壓稱為夾斷電壓Ugs(off)。可以看出，改變Ugs的大小可以有效地控制導電溝道電阻的大小。...